: 对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型 以下关于IGBT说法错误的是（ ）。 A:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构 B:IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 C:IGBT开关速度高于电力MOSFET D:IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件